碳化硅晶体制备关键技术专利群——山东天岳先进材料科技有限公司，山东大学

由山东天岳先进材料科技有限公司和山东大学研究的碳化硅晶体制备关键技术包含了晶体生长装备、籽晶成核控制、钒杂质缓释、化学机械抛光等十多项核心技术，生长出了低微管缺陷密度的半绝缘型和N型碳化硅单晶，微管密度小于0.5个/cm2，半绝缘单晶电阻率大于1012Ω.cm，并加工出适合器件应用的衬底，研制出低成本、高可靠性的单晶生长设备，实现了碳化硅单晶衬底产业化，该项关键技术知识产权突破了外国技术封锁和产品垄断，使我国成为目前世界上少数几个掌握碳化硅晶体制备技术的国家之一。该关键技术申请国内发明专利10余项，形成了有效的知识产权布局，曾获2014年山东省技术发明一等奖。该关键技术已形成了规模化生产能力，近五年来取得直接经济效益达5亿元，创造间接经济效益达30亿多元。

[责任编辑：杨凡、王娜]

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